一、標準基礎信息

1.版本沿革

GB/T 17626.5-2019 與 IEC 61000-4-5:2014 技術內(nèi)容一致（等同采用），自 2020 年 1 月 1 日起生效，取代 2008 年發(fā)布的前一版本。

2. 在抗擾度試驗系列中的位置

GB/T 17626 是一整套抗擾度試驗規(guī)范，浪涌試驗只是其中一項。同系列還包括靜電放電（.2）、射頻電磁場輻射（.3）、電快速瞬變脈沖群（.4）、射頻場感應的傳導騷擾（.6）、工頻磁場（.8）、電壓暫降與短時中斷（.11）等分項。浪涌的本質(zhì)是能量大、電壓高的瞬態(tài)沖擊，對應現(xiàn)實中兩類主要誘因 —— 遠處落雷在電網(wǎng)上引起的感應過電壓，以及大功率電器投切電網(wǎng)時產(chǎn)生的操作過電壓。正因如此，工業(yè)整機、電源濾波器、AGV 充電站、半導體機臺等產(chǎn)品都將它列為必做的 EMS 項目。

3. 考核對象與端口

幾乎覆蓋所有交 / 直流供電的電氣電子設備。考核端口包括交流電源輸入、直流電源輸入、控制與信號長線三類；典型產(chǎn)品涵蓋半導體晶圓設備、MFC、工業(yè)控制柜、電源濾波器、AGV 智能充電站、電能表、工控儀器、IT 與醫(yī)療設備。

二、核心試驗波形（標準強制兩種波形）

1. 1.2/50μs 組合波——工業(yè) / 電源設備通用

發(fā)生器以開路狀態(tài)輸出電壓、短路狀態(tài)輸出電流來定義：

- 開路電壓：前沿 1.2μs（允差 ±30%），半峰值寬度 50μs（允差 ±20%）；

- 短路電流：前沿 8μs（允差 ±20%），半峰值寬度 20μs（允差 ±20%）。

適合 220V 交流輸入、直流供電、設備內(nèi)部短控制線、充電接口及濾波器電源端口等場景。

2. 10/700μs 長波形—— 通信端口的專用波形

主要面向室外鋪設、長度超過 300m 的對稱通信總線，如廠區(qū)遠距離 485 總線、戶外通信線纜。車間內(nèi)部的短控制線通常不涉及此波形。

三、5 檔試驗嚴酷等級

（線對線差模 / 線對地共模電壓）

需要說明的是，線 - 地（共模）電壓取值是線 - 線（差模）的 2 倍。

結合應用場合，業(yè)內(nèi)通常這樣定級：

- 半導體設備、SEMI 認證整機、AGV 壓縮充電站、工業(yè)電源濾波器按 3 級執(zhí)行，即差模 1kV、共模 2kV；

- 戶外充電樁、露天控制柜按 4 級執(zhí)行；室內(nèi)辦公用 IT 設備取 2 級即可。

四、端口耦合注入方式

（缺一不可）

1. 交流單相電源端口（L/N/PE）：差模浪涌加在 L-N 之間；共模浪涌則對 L-PE、N-PE 分別施加。耦合 / 去耦網(wǎng)絡（CDN）負責把浪涌注入被測線路，同時把電網(wǎng)側干擾隔離開，確保波形不失真。

2. 直流電源端口：正負極間做差模，正極對地、負極對地分別做共模，全部工況都要測到。

3. 控制 / 信號線纜端口：一般只做共模，即以電容耦合方式向信號線對地注入浪涌。短距離控制線可不做差模；長距離總線則按 4 級從嚴執(zhí)行。

五、完整標準化試驗流程

1. 設備預處理：設備滿載持續(xù)運行，先記錄初始精度、通信與輸出功能等基線數(shù)據(jù)；試驗全程設備保持正常工作，嚴禁空載 —— 空載狀態(tài)發(fā)現(xiàn)不了 PCB、芯片的隱性損傷。

2. 接地布置：使用標準銅接地平板，機殼可靠接地；屏蔽電纜的屏蔽層需 360° 低阻抗搭接。

3. 浪涌施加強制規(guī)則：

- 差模、共模兩種耦合方式都要分正、負極性各測；

- 每個極性至少打 5 次；

- 相鄰兩次間隔不得小于 60s，讓 TVS、壓敏電阻等防護器件充分泄放并恢復；

- 交流供電設備還須在電源相位的 0°、90°、180°、270° 四個點分別施加，以覆蓋各種電網(wǎng)狀態(tài)。

4. 實時全程監(jiān)控：施加瞬間同步觀察屏幕顯示、總線通信、功率輸出、報警狀態(tài)、設備是否復位停機，以及有無打火、擊穿等硬件現(xiàn)象。

5. 后穩(wěn)態(tài)驗證：全部浪涌結束后再連續(xù)運行 30 分鐘，復測精度與控制邏輯，確認沒有留下隱性器件損傷。

六、四級試驗判定準則

（工業(yè)設備硬性門檻）

工業(yè)設備對試驗結果按四個等級驗收：

1. A 級（工業(yè) / 半導體設備強制合格標準）：從沖擊開始到試驗結束后的長期運行，功能、精度、通信全程無異常、無降級、無誤動作、無重啟。濾波器、AGV、晶圓設備的出廠檢驗和 SEMI 審核只接受 A 級。

2. B 級：沖擊瞬間出現(xiàn)短暫功能下降，脈沖過后自行恢復，無永久性硬件損傷。此等級僅民用小家電可接受，工業(yè)設備判不合格。

3. C 級：故障后需人工重啟或復位才能恢復，元器件無擊穿燒毀。工業(yè)場合同樣判不合格。

4. D 級（完全失效）：徹底失效 —— 元器件擊穿、電源短路、主板燒毀等永久損壞，直接不合格。

七、2019 版對比 2008 版

的主要變化

1. 為浪涌波形補充了完整的數(shù)學模型附錄，發(fā)生器校準有了量化依據(jù)；

2. 耦合 / 去耦網(wǎng)絡（CDN）納入強制定期校準范圍，舊版只要求校準發(fā)生器本體；

3. 補充了 200A 以內(nèi)大功率工業(yè)設備和充電設備的耦合方案，直接回應 AGV 充電站類應用；

4. 刪去老舊高速通信線的冗余條款，試驗邏輯向工業(yè)設備統(tǒng)一；

5. 明確了 CDN 開路輸出電壓與短路輸出電流的對應關系，從源頭避免實驗室波形失真；

6. 精簡長距離通信線的配置說明，區(qū)分室內(nèi)短線與戶外長線兩套做法。

八、典型應用場景與工程整改方案

1. 電源濾波器：抑制傳導浪涌本就是濾波器的職責之一，浪涌試驗因此成為濾波器最關鍵的考核項。在 3 級共模 2kV 的沖擊下，濾波器必須把高壓能量完整泄放掉，保證后級主控、驅動芯片不損壞。

2. AGV 智能壓縮充電站：充電站交、直流輸入功率大，且連著車載電池的長線纜；半導體車間屬 3 級嚴酷工業(yè)環(huán)境，差模 1kV、共模 2kV 的浪涌必須全項通過。一旦防護失效，BMS 電池管理主板、充電功率管極易被燒毀。

3. 半導體整機（SEMI E33 電磁兼容要求）：半導體工廠要求進廠整機滿足 IEC 61000-6-2 工業(yè)場所 EMC 規(guī)范，其中抗擾度部分必然包含 GB/T 17626.5 的 3 級浪涌測試；對應檢測報告是晶圓廠設備準入的必備文件。

4. 工程整改通用方案（浪涌測試不合格優(yōu)化）：

- 電源入口做三級防雷：氣體放電管（GDT）先泄放、壓敏電阻（MOV）承接、TVS 精細鉗位；

- 機殼低阻抗多點接地，地線盡量短、盡量粗；

- 提高濾波器共模 / 差模電容的耐壓余量，增強對低頻沖擊的泄放能力；

- 信號口加裝專用信號防雷器，總線兩端配終端匹配電阻。

九、合規(guī)實驗室測試硬件配置要求

具備 CNAS/CMA 資質(zhì)的實驗室，完成浪涌試驗至少需要以下裝備：

1. 1.2/50μs 組合波發(fā)生器；

2. 單相 / 三相電源 CDN；

3. 信號端口電容耦合夾具；

4. 標準接地銅平板及大功率設備承載工裝。

十、配套關聯(lián)標準

與本標準配套使用的相關文件：

1. 工業(yè)環(huán)境通用要求：抗擾度看 GB/T 17799.2 / IEC 61000-6-2，發(fā)射看 GB 17799.4 / IEC 61000-6-4；

2. 商住輕工業(yè)環(huán)境：抗擾度 IEC 61000-6-1，發(fā)射 IEC 61000-6-3；

3. 低壓電器安規(guī)基礎：IEC 60947-1（涉及低壓開關、濾波器配套空開）；

4. 半導體行業(yè)專項：SEMI E33（整機 EMC 準入）。